ASML, единственный в мире производитель оборудования для фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), перестал с 2019 года продавать свои самые передовые модели Китаю из-за давления со стороны США. Китайские исследователи объявили, что создали собственный источник EUV-излучения на лазерной плазме для изготовления отечественных микрочипов. При этом их решение оказалось более компактным, а по техническим характеристикам оно не уступает международным аналогам. Таким образом, Китай сейчас в шаге от создания собственных литографических машин с источником света LPP-EUV.
Разработкой занималась группа ученых из Шанхайского института оптики и точной механики Академии наук Китая под руководством Линь Наня, ранее возглавлявшего отдел технологий источников света в ASML в Нидерландах. Линь вернулся в Китай в 2021 году и собрал исследовательскую группу, которая и занялась разработкой передовых технологий фотолитографии. В статье, опубликованной в мартовском выпуске журнала Chinese Journal of Lasers, говорится, что группа Линя разработала основной компонент фотолитографических машин — источник EUV-излучения на лазерной плазме (LPP). Вполне вероятно, это знаменует прорыв для полупроводниковой промышленности Китая.
В отличие от промышленных фотолитографических машин ASML, которые используют для переноса рисунков схем на кремний и другие подложки газовые лазеры СО2, Линь и его команда создали платформу на основе твердотельного лазера. Газовые лазеры СО2 отличаются от твердотельных высокой мощностью (до 10 кВт) и частотой повторения импульса, но они занимают много места и обходятся очень дорого.
«Твердотельные импульсные лазеры, которые быстро развивались в течение последнего десятилетия, теперь достигают выходной мощности на уровне киловатта и, как ожидается, в будущем она увеличится в десять раз. Они имеют компактный размер, КПЛ около 20% и могут стать многообещающей заменой лазеров СО2 в качестве новой движущей силы фотолитографии с источником света LPP-EUV».
Экспериментальное устройство показало результаты, не уступающие международным аналогам, достигнув при этом более 50% эффективности преобразования коммерчески доступных источников света на основе газовых лазеров СО2. Используя твердотельный лазер с длиной волны 1 мкм, команда показала максимальную эффективность преобразования в 3,42%. Это превышает показатели, которых добились ученые из Нидерландского центра передовых исследований в области нанолитографии и Швейцарского федерального технологического института в Цюрихе.
На сегодня китайцы отстают только от группы из Университета Центральной Флориды (США) и Университета Уцуномия (Япония). Их результаты — 4,9% и 4,7%, соответственно. А эффективность преобразования коммерчески доступных источников EUV-излучения на газовых лазерах CO2 составляет около 5,5%.
Исследователи подсчитали, что теоретическая максимальная эффективность преобразования устройства может приближаться к 6%. Они планируют провести дополнительные измерения для оптимизации как теоретических, так и экспериментальных результатов.
Комментариев нет:
Отправить комментарий